Praca dotyczy numerycznego modelowania, wytwarzania i charakteryzacji nanostruktur plazmonicznych zawierających warstwy z tlenku cyny indu (ITO). Ten silnie zdomieszkowany półprzewodnik typu n łączy wysokie przewodnictwo elektryczne z przezroczystością w zakresie optycznym. Ponadto, jak wykazała w 2010 roku grupa prof. Atwatera z California Institute of Technology, przyłożenie napięcia do złącza ITO-dielektryk umożliwia zmianę współczynnika załamania w przygranicznej części ITO. W niniejszej pracy licencjackiej porównano ze sobą własności warstw ITO wytworzonych metoda chemiczną zol-żel i fizyczną metodą naparowywania za pomocą wiązki elektronów. Zaprojektowano numerycznie strukturę wielowarstwową SiO2-ITO-Ag, której własności transmisyjne i odbiciowe fal propagujących i powierzchniowych fal plazmonowo-polarytonowych silnie zależą od obecności warstwy akumulacyjnej. Po wytworzeniu struktury przeprowadzono badania morfologii powierzchni mikroskopem sił atomowych, skaningowym mikroskopem elektronowym, oraz dokonano mikroanalizy rentgenowskiej składu pierwiastkowego. Wykonano także pomiary optyczne transmisji i odbicia światła. W strukturach wielowarstwowych zaobserwowano aglomeraty w nanowarstwach srebra powstające na skutek procesu wygrzewania.